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物理学前沿讲座
来源: 日期2021-06-08 11:44 点击:

报告时间:2021年69日(周三)下午3:00-5:00

报告地点:仲英楼B253会议室

报告主题(一):孤立阿秒脉冲驱动光源

方少波 副研究员

报告人简介方少波,中科院物理所副研究员,博士生导师。长期致力于超快激光技术的前沿研究和相关科研仪器装备的自主研发。留学期间作为团队核心先后参与日本、美国、德国、中国等多个大科学装置建设。入选中科院物理所“引进国外杰出人才计划”、中科院“关键技术人才”、中科院“交叉创新团队”、中科院青年创新促进会。担任《Chinese Optics Letters》、《Scientific Reports》编委,中国物理学会青年编委。作为项目负责人主持国家重点研发计划课题2项(2017-2020、2020-2023)、基金委重大研究计划培育1项(2020-2022)等课题,发表论文60余篇(特邀综述5篇),已授权发明专利中国4项,美国2项,德国1项,合著《Advances in Ultrafast Optics》。

报告摘要六十年前梅曼建成了世界上第一台以毫秒脉冲形式闪耀世界的激光器,从此深刻影响着人类文明的发展进程。如今的周期量级超快激光早已跨越纳秒、皮秒尺度,步入飞秒、阿秒的亚周期时代。亚周期光场所对应的波形时域演化已偏离了正弦余弦之间的载波包络振荡模式,传统非线性光学中的近似理论不再适用,因此波形可控的亚周期非线性光学应运而生。作为高通量孤立阿秒脉冲的最佳驱动光源,新型光场调控下的光与物质相互作用,将引发物理新现象和技术新进展。

报告主题(二):硅基集成光电芯片

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       报 王霆 副研究员

报告人简介王霆,中科院物理所副研究员。入选中国科学院物理研究所引进海外杰出人才和中科院青年促进会会员。博士毕业于英国伦敦学院大学,硕士毕业于英国谢菲尔德大学,本科毕业于英国南安普顿大学。而后前往新加坡麻省理工国际设计中心开展硅基光电子的研发工作。归国后,加入中国科学院物理研究所从事半导体材料异质集成方面的尖端研发,在多个会议、国内外论坛发表精彩演讲。研究方向集中在微纳光电子领域,主要包括两个方面,一是面向硅基光电子集成的硅基片上激光光源的材料与器件研究,一是面向量子计算的硅基量子材料的研究。主要贡献包括实现了世界首例高性能锗基以及硅基低阈值电流密度O波段InAs/GaAs量子点激光器的室温连续激射,解决了多年硅基光电子集成无相应光源的重大科学问题,并首次实现了SOI基可集成激光器。王霆在该领域期刊发表学术论文80余篇,其中包括《Nature Photonics》,《Nature Communications》,《Laser & Photonics Review》,《Nano Letters》,《ACS Applied Materials & Interfaces》,《Advanced Materials》等;获Lambert出版社邀请撰写英文专著一册;成果多次作为代表性进展被Nature Photonics、Science Daily、Nanowerk、Phys Org、Laser & Photonics Review、SPIE News等重要刊物的综述文章作为代表性进展重点报道。

报告摘要随着微电子器件的尺寸日益逼近其物理极限,摩尔定律很难进一步延续,硅集成电路的发展面临着巨大的挑战和机遇。硅基光电子集成旨在将光子学器件和电子学器件集成在硅晶片上,把CMOS工艺兼容的激光器、光调制器、光波导和光探测器等组件集成到微电子电路上从而实现硅基光电子集成。它兼具光子学器件的高传输处理速度、高传输带宽和电子学器件的低成本、微尺寸、高集成度等特质,有望给信息产业领域注入新的生机和活力,吸引了大量科学家和工程师的研究兴趣。然而,由于硅是间接带隙半导体,不具良好的发光特性,因此实现硅基光电子集成的首要任务是如何实现硅基高效率发光且具备CMOS兼容性的激光光源。通过利用特殊的硅基图形结构和III-V族/IV族混合外延生长技术,实现了硅基和SOI基高质量InAs量子点电泵浦激光器和微腔激光器的制备,为未来硅基光电芯片集成铺垫了道路。

邀请人:赵述敏

 
 
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责任编辑:刘钰哲
 
 
 
 
 
 
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