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低维半导体材料的能带结构调控
来源: 日期2018-01-23 11:35 点击:

报告题目:低维半导体材料的能带结构调控

报告时间:2018年1月25日10:00-11:00

报告地点:仲英楼B835

: 李德慧

报告摘要:

在低维半导体材料中,材料的尺寸和结构的各向异性起着重要的作用。相比于体材料,低维材料会引起一系列的光学和电学性质的改变,如量子限制效应、量子限制的斯塔克效应、尺寸依赖的相变以及增强的电声子耦合等。本报告将围绕着低维半导体材料中利用结构、外加电场和表面电场对低维半导体材料能带结构的调控展开,讨论激光冷却半导体、电场引起的间接带隙半导体发光以及相变引起的金属绝缘体转变等。

报告人简介:

李德慧,理学博士,华中科技大学光学与电子信息学院教授。分别在西安交通大学、中国科学院近代物理研究所和新加坡南洋理工大学获得学士、硕士和博士学位;2013年至2016年,在加州大学洛杉矶分校从事博士后工作。2016年获青年千人计划回国工作。曾获得国家优秀自费留学生奖学金(2013)、世界未来基金会环境与可持续发展研究博士论文奖(2013)等多项奖项。主要从事低维半导体纳米材料中能带结构的调控研究,包括有机无机杂化钙钛矿纳米片的相变、电输运、光谱学以及光电子性质的研究,二维层状材料的电致发光,凝聚相材料中的激光制冷,新奇低维结构的合成、表征、光学和光电性质等。近五年来,已在国际学术期刊上发表学术论文40余篇,其中包括Nature(封面)、Nature Communications、Science Advances、Nano Letters、ACS Nano、Advanced Materials等。更多信息请见链接:http://oei.hust.edu.cn/kytd/De_Hui_Li_s_Group/Research.htm。

 
 
文章作者:
责任编辑:马瑞峰
 
 
 
 
 
 
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